IC應(yīng)用方案
APPLICATIONS
IC應(yīng)用方案
產(chǎn)品型號(hào):SHP8022S
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SHP8022S是一款電容式觸摸控制 ASIC,
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支持雙通道觸摸輸入和雙路鎖存開(kāi)關(guān)輸出,可引腳配置高低電平輸出;
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可實(shí)現(xiàn)觸摸鎖存開(kāi)關(guān)控制,具有低功耗、高抗干擾、
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寬工作電壓范圍、高穿透力的突出優(yōu)勢(shì)
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工作電流范圍:2.4~5.5V
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待機(jī)電流約9μA@VDD=5V&CMOD=10nF
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雙通道觸摸輸入
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雙路鎖存開(kāi)關(guān)輸出,可引腳配置高低電平
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采用電荷分享方式實(shí)現(xiàn)觸摸
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內(nèi)置穩(wěn)壓源、上電復(fù)位和低壓復(fù)位等硬件模塊
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內(nèi)置實(shí)時(shí)環(huán)境自適應(yīng)、高效數(shù)字濾波等軟件算法
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HBM ESD 優(yōu)于5KV
產(chǎn)品型號(hào):SHP2023
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SHP2023 是一款電容式觸摸控制 ASIC ,
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支持單通道觸摸輸入和雙路 PWM 輸出
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主要應(yīng)用于觸摸調(diào)光 LED 燈具,具有低功耗、高抗干擾、
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寬工作電壓范圍、燈光無(wú)頻閃、外圍器件少的突出優(yōu)勢(shì)
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工作電壓:2.4~5.5V
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待機(jī)電流約6μA@VDD=5V&CMOD=10nF
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單通道觸摸輸入
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雙路 PWM 輸出,頻率 21KHZ
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采用電荷分享方式實(shí)現(xiàn)觸摸
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按鍵最長(zhǎng)輸出時(shí)間:16秒(+30%)
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內(nèi)置穩(wěn)壓源、上電復(fù)位和低壓復(fù)位等硬件模塊
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內(nèi)置實(shí)時(shí)環(huán)境自適應(yīng)、高效數(shù)字濾波等軟件算法
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HBM ESD 優(yōu)于 5KV
產(chǎn)品型號(hào):SHP2022
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SHP2022是一款電容式觸摸控制 ASIC,
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支持單通道觸摸輸入和單路 PWM 輸出,可引腳配置8種功能
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SHP2022 主要應(yīng)用于觸摸調(diào)光LED燈具,具有低功耗、
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高抗干擾、寬工作電壓范圍、燈光無(wú)頻閃、外圍器件少的突出優(yōu)勢(shì)
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工作電壓范圍:2.4~5.5V
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待機(jī)電流約 6μA@VDD=5V&CMOD=10nF
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單通道觸摸輸入
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單路 PWM 輸出,頻率 21KHZ
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采用電荷分享方式實(shí)現(xiàn)觸摸
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可引腳配置8種功能
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內(nèi)置穩(wěn)壓源、上電復(fù)位和低壓復(fù)位等硬件模塊
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內(nèi)置實(shí)時(shí)環(huán)境自適應(yīng)、高效數(shù)字濾波等軟件算法
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HBM ESD 優(yōu)于 6KV
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封裝形式:SOP8、SOT23-6
產(chǎn)品型號(hào):SHP2041A
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工作電壓:2.2V~5.5V
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抗干擾性能優(yōu)良:內(nèi)建穩(wěn)壓電路,上電/掉電復(fù)位工、消抖、
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自動(dòng)校準(zhǔn)及環(huán)境自適應(yīng)算法等多做措施
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剛上電8秒內(nèi)約1秒刷新一次參考值,
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若上電后的8秒內(nèi)有觸摸鍵或8秒后仍未觸摸按鍵,則重新校準(zhǔn)周期為4秒
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低功耗模式待機(jī)電流@VDD=3V/無(wú)負(fù)載,典型值3.4μA(不校準(zhǔn)時(shí))
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低功耗模式按鍵最長(zhǎng)響應(yīng)時(shí)間約160ms@VDD=3V
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可觸摸檢測(cè)輸入腳接外部電容(0~50PF)調(diào)整靈敏度
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輸出模式選擇(TOG):同步輸出或鎖存輸出
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CMOS輸出(Q)可由AHLB pin 選擇高電平或低電平輸出有效
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開(kāi)漏輸出(OPDO)純N管輸出,沒(méi)有到電源的二極管保護(hù),低電平輸出有效
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上電后約有0.5秒的初始化時(shí)間,此期間不要觸摸檢測(cè)點(diǎn),
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且此時(shí)所有功能被禁止
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HBM ESD大于6KV
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SOT23-6L、DFN1X1-4L、DFN2X2-6L
產(chǎn)品型號(hào):SH13073B
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工作電壓:1.5V
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7個(gè)按鍵:SET,WEEK,HOUR,MIN,MODE,TIME,CLR
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4個(gè)邦定選擇
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功能:時(shí)鐘(24HR), 10/20組自動(dòng)開(kāi)/關(guān)插座,倒計(jì)時(shí)開(kāi)/關(guān)插座,自動(dòng)鎖鍵
產(chǎn)品型號(hào):SP6647FL
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一、應(yīng)用范圍:充電器;PDA、數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)電源適配器
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二、特點(diǎn):
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全電壓范圍輸入時(shí)待機(jī)功耗小于75mW
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內(nèi)置 650V 高壓功率管
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軟啟動(dòng)可用來(lái)減少 MOSFET上 Vds 的應(yīng)力
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抖頻功能,改善 EMI 性能
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跳頻模式,改善輕載效率,減小待機(jī)功耗
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無(wú)噪聲工作
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固定 65KHZ 開(kāi)關(guān)頻率
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內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償
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低啟動(dòng)電流,低工作電流
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內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能
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過(guò)載保護(hù)(OLP),逐周期限流保護(hù)(OCP)
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ADD 過(guò)壓保護(hù)(VDD OVP),欠壓保護(hù)(UVLO),
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VDD 電壓箝位,過(guò)溫保護(hù)(OTP)